Комбинацию свойств полевых и биполярных транзисторов обеспечивает технология обеднённых вертикальных двойных полевых структур (DMOS FET) компании Supertex. Транзистор DN1509, изготовленный по такой технологии, теперь предлагается в миниатюрном корпусе SOT23-5 и продаётся под наименованием DN1509K1-G.

Очень малое пороговое напряжение переключения, высокое напряжение пробоя, большое входное сопротивление, низкая входная ёмкость, большая скорость переключения, положительный температурный коэффициент, отсутствие температурного выхода из под контроля, отсутствие термально индуцированных вторичных пробоев, низкие утечки по входу и выходу – привлекают конструкторов к использованию транзисторов DN1509 во многих приборах, где требуются ключи в нормально открытом состоянии, в системах с батарейным питанием, преобразователях, аналоговых усилителях, источниках постоянного тока, телекоммуникационных приборах. Транзисторы DN1509K1-G в корпусе SOT23-5 имеют сопротивление канала 6 Ом и рассчитаны на работу в схемах с питанием до 90 В c постоянным током до 200 мА и импульсными токами до 500 мА. Транзисторы DN1509 имеют входную ёмкость 70 пФ и способны отрабатывать фронты от 16 нс до 25 нс, время восстановления 400 нс для токов 500 мА.